亚博APP下载链接_解密英特尔、台积电、三星14/16纳米的区别

日期:2021-02-02 00:55:02 | 人气: 19849

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近日,合作媒体《天下杂志》发表了一篇题为《TSMC知道如何攻破英特尔?大客户吐槽成这样.>关于TSMC和三星的技术节点号是否被美化的争论备受关注。这个问题之前在半导体行业只是一个持续的争论,在苹果A9芯片门事件中,iPhone6sA9处理器被争论回到了TSMC和三星收缩时的巅峰。事实上,TSMC和三星知道他们的工艺技术相当不如英特尔。

半导体三雄纳米工艺到底在争夺什么?TSMC、三星和英特尔之间的先进设备工艺竞争非常激烈。在目前的14/16 nm之后,工艺竞争又回到了10 nm。这些数字背后的含义仅指“线宽”,准确地说,是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅长。场效应晶体管利用栅极控制电流的通过,来表示0或1的数字信号,这也是整个结构中最小最简单的键。

当可以增加栅极时,也可以增加晶体管体积,从而提高转换速度,每个芯片可以填充更多的晶体管或增加芯片体积;而且,当门长越小,门下的电子地下通道越来越宽,提高了开关效率,降低了能量损耗,从而增加了功耗。然而,当栅极太薄,源极更靠近漏极时,电子可能会意外滑动而产生溢出电流,这也存在驱动力不足的严重问题,这就是工艺小型化可玩性越来越低的原因。台湾、英特尔、三星互相争夺生命的原因。

(来源:高科技技术台湾)14/16工艺节点号都是装水的吗?包括半导体芯片和系统修复工程和分析供应商ChipWorks、Techinsights和半导体分析供应商LinleyGroup,他们对TSMC、三星和英特尔进行了16/14纳米的比较。LinleyGroup和Techinsights的实际分析结果,包括英特尔、TSMC和三星在14/16纳米的实际线宽,仅没有超过他们要求的工艺号。根据两者的数据,TSMC 16纳米工艺的实际测量线宽为33纳米,16纳米鳍片的线宽为30纳米。三星的第一代14 nm是30 nm,14 nm FinFET是20 nm。

英特尔在这两个机构的14纳米工艺的测量结果分别是。


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